Реферат: Туннелирование в микроэлектронике

КУРСОВАЯ РАБОТА

по курсу: «Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС»

на тему:

«ТУННЕЛИРОВАНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ »

Выполнил: Приняла:

студент гр. 910204 Забелина И. А.

Шпаковский В.А.

Минск 2001 г.

СОДЕРЖАНИЕ

Возможно вы искали - Реферат: Сжатие речевого сигнала на основе линейного предсказания

стр.

1. Туннельный эффект……………………………………………………………………………3

2. ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

2.1 Контакт металл-металл…………………………………………………………...…………..5

2.2 Структура металл-диэлектрик-металл………….……………………………………………8

Похожий материал - Реферат: Анализ операций умножения и деления в конкретной модели АЛУ

2.3 Токоперенос в тонких плёнках………………………………………………………………10

2.4 Туннельный пробой в p-n-переходе…………………………………………………………12

2.5 Эффекты Джозефсона………………………………………………………………………...13

2.6 Эффект Франца-Келдышева………………………………………………………………….15

3 Туннельный диод…..…………………………………………………………………………17

Очень интересно - Реферат: Проект реконструкции станционных сооружений ГТС

Литература………………………………………………………………………………………….20

1. Туннельный эффект

Рассмотрим поведение частицы при прохождении через потенциальный барьер. Пусть частица, движущаяся слева направо, встречает на своём пути потенциальный барьер высоты U0 и ширины l (рис. 1.1). По классическим представлениям движение частицы будет таким:

U(x) - если энергия частицы будет больше высоты барьера (E>U0 ),

то частица беспрепятственно проходит над барьером;

U0 - если же энергия частицы будет меньше высоты барьера

Вам будет интересно - Реферат: Электротехника

E (E<U0 ), то частица отражается и летит в обратную сторону;

сквозь барьер частица проникнуть не может.

I II III Совершенно иначе поведение частицы по законам квантовой

механики. Во-первых, даже при E>U0 имеется отличная от ну-

0 l x ля вероятность того, что частица отразится от потенциального

Похожий материал - Реферат: Органiзацiя та планування виробництва потококонвеєрноi лiнii десяткового суматора з корекцiєю результата ([Курсовая])

Рис.1.1 Прохождение частицы барьера и полетит обратно. Во-вторых, при E<U0 имеется ве-

через потенциальный барьер. роятность того, что частица проникнет «сквозь» барьер и ока-

жется в области III. Такое поведение частицы описывается уравнением Шрёдингера:

. (1.1)

Здесь - волновая функция микрочастицы. Уравнение Шрёдингера для области I и III будет одинаковым. Поэтому ограничимся рассмотрением областей I и II. Итак, уравнение Шрёдингера для области I примет вид:

К-во Просмотров: 47
Бесплатно скачать Реферат: Туннелирование в микроэлектронике