Реферат: Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Допущено к защите:

"_____"__________________1999г.

Защищено с оценкой:

"_________________"

Работу выполнил:

Возможно вы искали - Реферат: Моделирование дискретной случайной величины и исследование ее параметров

ст. гр. ДК-71 ІІІ курса ФЭЛ

Кузин Евгеий Андреевич.

№ зач. книжки ДК-7112

Преподаватель:

Рогоза Валерий Станиславович.

Киев – 1999


СОДЕРЖАНИЕ

Похожий материал - Реферат: Автоматика

Введение....................................................................................................... 3

1. Описание схемы для разработки....................................................... 3

2. Определение электрических параметров схемы............................... 4

3. Технологические этапы изготовления ИМС..................................... 5

4. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора 9

Очень интересно - Реферат: Стабилитроны

5. Последовательность расчета параметров интегральных резисторов 12

6. Последовательность расчета параметров МДП – конденсатора... 18

7. Особенности топологии разрабатываемой ИМС........................... 20

Выводы................................................................................................. 20

Литература........................................................................................... 20

Введение.

Вам будет интересно - Реферат: Расчетные работы по электротехнике

Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Одной из составных частей данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки.

В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС – сверхбольших интегральных схем – интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять. В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.

Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15-0,18 мкм.

Быстрое развитие мироэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:

1) Надежность - комплексное свойство, которое в зависимости от на­значения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.

Похожий материал - Реферат: Устройства СВЧ

2) Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.

1. Описание схемы для разработки.

Данная схема представляет собой цифровую схему логики 4ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах. Питание схемы стандартное, 5В. Схема состоит из четырех идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Логика данного логического элемента – насыщенного типа, т.е. транзисторы в каскадах при работе схемы работают либо в режиме отсечки (на входе – "0", на выходе – "1", транзистор закрыт) либо в режиме насыщения (на входе – "1", на выходе – "0", транзистор открыт).

Назначение пассивных элементов в цепи базы транзисторов следующее:

К-во Просмотров: 577